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IGBT单管
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Diode Type
VCES
(V)
Ic@Tc=100℃
(A)
Ic@Tc=25℃
(A)
Vcesat
(V)
Switching Frequency
(KHZ)
Eon
(mJ)
Eoff
(mJ)
Short Current Withstand Time
(us)
Type
Package
Reset
Reset All
Active
Ready
OK
Reset
automotive
industrial
OK
Reset
SiC
silicon
OK
Reset
OK
Reset
OK
Reset
OK
Reset
OK
Reset
0~8
20~45
8~20
OK
Reset
OK
Reset
OK
Reset
OK
Reset
FST2.0
FST3.0
OK
Reset
TO-220FA
TO-247
TO-247plus
TO-252
TO-263
TO-263FC
TO-3P
OK
Reset
CGWT40N120F2KAE
Active
industrial
silicon
1200
40
80
1.7
20~45
3
1.4
5
FST2.0
TO-247
CGB30N65F2KAQ
Active
industrial
silicon
650
30
60
1.62
8~20
0.51
0.4
5
FST2.0
TO-263
CGB80N65F2SAN
Active
industrial
-
650
80
100
1.55
8~20
1.19
1.97
-
FST2.0
TO-263FC
CGPA30N65F2KAQ
Ready
industrial
silicon
650
30
60
1.65
20~45
0.78
0.35
7
FST2.0
TO-220FA
CGPT40N65F2KAD
Active
industrial
silicon
650
40
80
1.7
20~45
1.23
0.34
5
FST2.0
TO-3P
CGR100N120F2KAD
Active
industrial
silicon
1200
100
160
1.55
20~45
8.14
4.75
5
FST2.0
TO-247plus
CGR140N120F3KAD
Active
industrial
silicon
1200
140
170
1.6
20~45
5.5
13.6
-
FST3.0
TO-247plus
CGR75N120F2KAD
Active
industrial
silicon
1200
75
120
1.65
20~45
6
2.6
10
FST2.0
TO-247plus
CGU06N65F2SAA
Active
industrial
silicon
650
6
12
1.8
8~20
0.052
0.062
5
FST2.0
TO-252
CGWT30N65F2KAD
Active
industrial
silicon
650
30
60
1.7
20~45
0.82
0.36
7
FST2.0
TO-247
«
1
2
3
»
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